根據(jù)973計劃“高性能近紅外InGaAs探測材料基礎(chǔ)研究及其航天應(yīng)用驗證”項目年度工作安排，2012年3月22日，“失配體系InGaAs材料缺陷密度與探測器暗電流關(guān)系”專題學(xué)術(shù)討論會在黃山順利召開。項目責(zé)任專家劉治國教授，顧問組專家匡定波院士、方家熊院士，首席科學(xué)家龔海梅研究員，課題負責(zé)人繆國慶研究員、張永剛研究員、韋欣研究員及學(xué)術(shù)骨干和研究生三十余人參加了會議。
龔首席與其他課題負責(zé)人分別主持了會議。龔首席首先代表項目組感謝各位專家、項目組成員及研究生參加此次研討會，并作了項目總體報告。報告中總結(jié)了項目實施啟動會上專家意見，細化了項目總體研究思路和具體方案，進一步明確了項目前兩年的研究計劃和任務(wù)?；陧椖康难芯恐骶€，介紹了國內(nèi)外在材料結(jié)構(gòu)設(shè)計、生長方法、材料表征和器件驗證等方面的研究進展以及此次專題學(xué)術(shù)討論會的目的和報告內(nèi)容，并以生動的語言闡述了創(chuàng)新文化和工程文化的差異，最后表示希望通過此次會議激發(fā)項目組的創(chuàng)新靈感，促進項目更好地實施。
繆國慶研究員、張永剛研究員和韋欣研究員分別作“低缺陷密度InGaAs多層材料結(jié)構(gòu)設(shè)計與能帶分析”、“擴展波長InGaAs探測材料問題與思考”和“InGaAs材料微納尺度物性表征”的報告，陳建新研究員、俞國林研究員、郭作興教授、李雪研究員和紀(jì)小麗副教授等12名學(xué)術(shù)骨干及研究生分別在新型近紅外材料研究進展、載流子輸運、透射電子顯微鏡表征和器件暗電流調(diào)研及初步研究方案等方面進行了學(xué)術(shù)交流和匯報。
與會專家和學(xué)術(shù)骨干進行了深入、細致的討論，一致認為針對探測器暗電流密度低于1nA/cm2的項目目標(biāo)，需要弄清失配體系InGaAs材料缺陷產(chǎn)生機制、類型及演化機制，研究缺陷表征方法以獲得材料缺陷密度，并 關(guān)注材料缺陷密度和探測器暗電流的關(guān)聯(lián)性。
最后，龔首席作了總結(jié)發(fā)言。他再次感謝各位專家蒞臨指導(dǎo)，感謝各位課題負責(zé)人和學(xué)術(shù)骨干為會議報告所做的精心準(zhǔn)備，今后要繼續(xù)加強交流和溝通，深入開展材料與器件交叉研究，注重重大科學(xué)問題的探索，在失配體系InGaAs材料參數(shù)數(shù)據(jù)庫、缺陷密度的測量、表/界面態(tài)的測量及其與器件主要參數(shù)關(guān)聯(lián)性等方面建立研究計劃和實驗方案，加快項目研究進度，實現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)。
整整一天的專題學(xué)術(shù)交流會短暫而精彩，大家以項目研究主線為主題暢所欲言，討論熱烈，為項目的具體運行提供了有價值的建議和具體的實施方案，實現(xiàn)了預(yù)期目的，達到了預(yù)期效果！
