中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
公開招聘人才公告
中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所(以下簡稱上海技物所)始建于1958年10月,20世紀(jì)60年代研究發(fā)展方向調(diào)整為紅外技術(shù),是我國第一個紅外技術(shù)與物理研究領(lǐng)域的專業(yè)研究所,現(xiàn)已發(fā)展成為我國紅外、光電技術(shù)領(lǐng)域的骨干單位和主要研發(fā)單位。
長期以來,上海技物所在紅外、光電遙感探測技術(shù)領(lǐng)域聚焦國家重大需求,堅持為國家重大科技戰(zhàn)略做出了重大突破性貢獻(xiàn),以“國家任務(wù)高于一切”作為共同價值觀,形成了“以航天航空遙感探測與成像儀器、裝備等紅外光電系統(tǒng)技術(shù)研究為代表,集元器件、制冷、光學(xué)薄膜等光電特種探測器及材料和光學(xué)機(jī)械加工等核心支撐技術(shù)研究,紅外物理等基礎(chǔ)性前沿前瞻研究和高技術(shù)產(chǎn)業(yè)為一體”的較為完整的研發(fā)技術(shù)鏈和價值發(fā)展鏈。先后為風(fēng)云系列氣象衛(wèi)星、載人航天工程、探月工程、海洋衛(wèi)星、環(huán)境衛(wèi)星、多種試驗衛(wèi)星等研制了紅外、光電應(yīng)用系統(tǒng)有效載荷和航天單機(jī),取得了較好的應(yīng)用效果和效益,是本領(lǐng)域?qū)W科門類齊全,研究實力雄厚的國際知名、國內(nèi)著名優(yōu)秀研究所,是中國科學(xué)院首批知識創(chuàng)新工程試點(diǎn)單位,是中國科學(xué)院知識創(chuàng)新工程全面推進(jìn)階段評估A類研究所。建有一級學(xué)科博士后科研流動站,常年招收35周歲以下,符合條件的博士學(xué)位獲得者全職進(jìn)站從事相關(guān)科研工作。
因?qū)W科領(lǐng)域與科研發(fā)展需要,根據(jù)《事業(yè)單位人事管理條例》(國務(wù)院652號令)和《中國科學(xué)院人員聘用制度實施辦法》,按照公開、平等、競爭、擇優(yōu)的原則,公開招聘工作人員,具體如下:
一、 招聘對象:應(yīng)屆畢業(yè)的全日制非定向本科、碩士、博士研究生及有相關(guān)崗位工作經(jīng)驗者。
二、 招聘崗位及要求:
1、科研類
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專業(yè)大類 |
崗位大類 |
簡要工作內(nèi)容和要求 |
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電子學(xué)類 |
電路系統(tǒng)/電控設(shè)計師 |
具有較強(qiáng)的軟硬件電路設(shè)計、調(diào)試、測試及圖像處理技術(shù)基礎(chǔ)與能力;熟悉模擬電路、數(shù)字電路、電路原理;熟悉電路的原理和FPGA應(yīng)用或VHDL語言;熟悉ISE、Quartus、modelsim等專業(yè)軟件的使用和相關(guān)操作;熟練掌握VHDL或Verilog語言。 |
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電機(jī)驅(qū)動控制系統(tǒng)設(shè)計師 |
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嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計師 |
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FPGA技術(shù)研發(fā)設(shè)計師 |
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微電子類 |
IC數(shù)?;旌想娐吩O(shè)計師 |
負(fù)責(zé)CMOS探測器片上數(shù)字控制電路、ADC電路、LVS電路等專用模塊的的設(shè)計仿真。要求:有數(shù)字IC電路設(shè)計開發(fā)的學(xué)習(xí)或?qū)嵺`經(jīng)歷,熟悉Cadance設(shè)計系統(tǒng)。負(fù)責(zé)大規(guī)模高速低噪聲CMOS探測器測試電子學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計與集成,要求:具有高速PCB板卡設(shè)計開發(fā)經(jīng)歷。從事專用數(shù)?;旌霞呻娐吩O(shè)計、仿真、分析和測試驗證。要求:1、精通數(shù)字電路和模擬電路設(shè)計分析,集成電路版圖設(shè)計和分析。 |
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電子學(xué)集成 |
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讀出電路版圖設(shè)計師 |
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軟件開發(fā)類 |
軟件設(shè)計師 |
掌握QT、C++界面庫開發(fā);熟悉軟件開發(fā)流程,精通C/C++編程;熟練多線程編程,了解常用的Windows多線程編程模型。 |
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光學(xué)/機(jī)械類 |
大口徑光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計師 |
負(fù)責(zé)大口徑光學(xué)成像系統(tǒng)/新型光譜成像儀器的方案設(shè)計、分析及仿真;負(fù)責(zé)大口徑光學(xué)成像系統(tǒng)/新型光譜成像儀器的加工、裝調(diào)及檢測方案;負(fù)責(zé)大口徑光學(xué)成像系統(tǒng)/新型光譜成像儀器的裝調(diào)檢測平臺條件建設(shè);負(fù)責(zé)產(chǎn)品實施及相關(guān)工裝模具的圖紙繪制、裝調(diào)及改進(jìn);負(fù)責(zé)以上開發(fā)過程文檔的編寫。熟悉物理光學(xué)、幾何光學(xué)、光學(xué)設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計;熟悉相關(guān)CAD軟件的使用和測試設(shè)備的使用;熟悉光學(xué)精密測量。熟練使用SolidWorks、UG等設(shè)計軟件;熟悉有限元分析;熟悉工藝和精密光機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計。 |
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成像光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計師 |
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光學(xué)裝調(diào)工藝師 |
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機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計師 |
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生產(chǎn)制作工程師 |
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動力工程與熱物理/制冷與低溫類 |
熱控及機(jī)械制冷/輻冷及低溫集成設(shè)計師 |
負(fù)責(zé)載荷熱控工程/空間制冷工程項目熱設(shè)計和熱仿真分析相關(guān)工作;負(fù)責(zé)載荷熱控工程/空間制冷工程項目與系統(tǒng)總體的相關(guān)接口協(xié)調(diào)相關(guān)工作等。要求:了解工程熱力學(xué)、傳熱學(xué)、制冷原理等動力工程及工程熱物理相關(guān)原理。 |
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遙感定標(biāo)類 |
定標(biāo)及數(shù)據(jù)處理工程師 |
負(fù)責(zé)紅外與高光譜遙感數(shù)據(jù)應(yīng)用的技術(shù)研究。掌握Zemax、CodeV、TracePro等光學(xué)軟件。 |
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光學(xué)薄膜器件研制/制備/探測器材料與器件物理類 |
光學(xué)薄膜器件研制/制備/
電極鍵合/薄膜制備工藝師 |
光學(xué)薄膜器件研制/制備工藝師:針對中波紅外光學(xué)薄膜器件的工程應(yīng)用以及精密光學(xué)薄膜元件的制備與工藝實施。
電極鍵合/薄膜制備工藝師:多種探測器的電極鍵合和裝架,探測芯片的電極鍵合、組件的裝配等。要求:具備電子、半導(dǎo)體物理、薄膜方面和半導(dǎo)體物理相關(guān)基本理論。 |
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材料工藝/拋光/質(zhì)檢/襯底
加工/外延材料制備工藝師/設(shè)備和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)維護(hù) |
材料工藝/拋光/質(zhì)檢/襯底加工/外延材料制備工藝師:液相外延工藝的改進(jìn)和研發(fā)/操作;材料性能的表征及分析,新材料新工藝研發(fā),設(shè)備性能保養(yǎng),CdZnTe晶片的拋光,MBE濕化學(xué)腐蝕工藝和零件清洗,碲鋅鎘襯底加工常規(guī)工藝操作,分子束外延工藝相關(guān)操作等。要求:材料、物理或化學(xué)方面的基礎(chǔ),了解材料生長相關(guān)知識,有材料測試分析方面的經(jīng)驗。 |
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碲鎘汞紅外探測器/紅外光電子器件/太赫茲光電子器件研究與開發(fā)/超晶格及低維異質(zhì)材料生長/微納光學(xué)類 |
基于碲鎘汞的大規(guī)模紅外探測器陣列的研究與工程應(yīng)用/紅外波段高性能半導(dǎo)體激光器與探測器等光電子器件的研究與開發(fā),/太赫茲波段高性能半導(dǎo)體激光器與探測器等光電子器件的研究與開發(fā)/銻化物超晶格及低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料生長及物理特性研究/銻化物材料MBE設(shè)備操作及生長工藝。要求:具有較好的半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ);熟悉光學(xué)或者電磁場。光學(xué)超材料與超表面/微腔中光與物質(zhì)相互作用、納米激光器等 |
2、博士后招收
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流動站
一級學(xué)科 |
研究領(lǐng)域 |
具體招收崗位/研究內(nèi)容 |
招收條件 |
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電子科學(xué)與技術(shù) |
空間高光譜探測成像
及主動光電探測技術(shù) |
*基于SPIDER技術(shù)的探測成像系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究:從事SPIDER技術(shù)探測成像機(jī)理及探測優(yōu)勢研究;搭建實驗室原理樣機(jī)并進(jìn)行性能測試。
*圖像信息處理:從事遙感圖像恒星目標(biāo),地標(biāo)數(shù)據(jù)等定位信息的圖像解算和提取工作;建立面陣相機(jī)指向定位模型,完成解畸變處理;完成相機(jī)互標(biāo)定和自標(biāo)定技術(shù)工作,結(jié)合軌道特性完成相機(jī)的高精度定位分析。
*目標(biāo)探測電路系統(tǒng)研究:完成數(shù)?;旌想娐吩O(shè)計、紅外弱小信號信息獲取電路硬件設(shè)計、FPGA編程等,實現(xiàn)紅外探測器數(shù)據(jù)處理算法及軟件實現(xiàn)。
*新型光學(xué)系統(tǒng)研究:負(fù)責(zé)新型光學(xué)系統(tǒng)光機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計,實現(xiàn)新材料在空間載荷中的應(yīng)用;完成力學(xué)分析和熱變形分析,滿足輕量化,快速響應(yīng)要求。
*星上遙感儀器紅外定標(biāo)技術(shù)研究:從事高精度紅外黑體,在軌高精度紅外定標(biāo)技術(shù)研究。
*太赫茲波段高靈敏、高速半導(dǎo)體探測器的研究:設(shè)計并研制新型太赫茲半導(dǎo)體探測器,實現(xiàn)太赫茲波在三個維度方向上的深亞波長局域增強(qiáng)。
可調(diào)諧太赫茲半導(dǎo)體激光器的研究:通過在太赫茲量子級聯(lián)激光器中單片集成新穎的二維材料以及微納結(jié)構(gòu),實現(xiàn)單模激光波長的連續(xù)調(diào)諧。
*窄禁帶半導(dǎo)體材料與器件開發(fā):從事窄禁帶半導(dǎo)體材料生長制備,光學(xué)電學(xué)性能表征,器件工藝及測試開發(fā)。
*新型氧化物鐵電材料與器件/新型低維光電探測材料與器件開發(fā):從事新型鐵電薄膜材料可控生長、極化物理起源及器件設(shè)計測試開發(fā)/從事新型低維材料制備、物理及其光電/電子器件測試開發(fā)。
*微納光子學(xué)器件研究:從事納米激光器、微腔中廣與物質(zhì)相互作用研究;光學(xué)超材料(metamaterials)與超表面(metasurfaces)結(jié)構(gòu)及器件開發(fā)。
*新型紅外探測器機(jī)理及應(yīng)用研究:從事新型紅外探測器制備、測試、表征技術(shù)研發(fā)。
硅基光電探測材料性能研究:從事硅基光電探測材料的分子束外延生長,光電探測器制備和表征開發(fā)。
紅外微納光子學(xué):從事深亞波長光子模式的調(diào)控及其與光電材料的相互作用研究。
*熱工程新技術(shù)研發(fā):從事熱工程新技術(shù)機(jī)理研究;熱工程新技術(shù)前沿探索。
*探測器杜瓦封裝技術(shù)研發(fā):從事真空物理及工藝研究;焊接理論及工藝研究;封裝設(shè)計輕量化及可靠性研究。 |
1. 具有良好的政治素質(zhì)和道德修養(yǎng),遵紀(jì)守法;
2. 具有電路系統(tǒng)、光學(xué)工程、材料物理、微電子與固體電子學(xué)、凝聚態(tài)物理、制冷與低溫工程等專業(yè)背景,具有扎實的理論基礎(chǔ)和專業(yè)知識、較強(qiáng)的科研能力和敬業(yè)精神;
3. 畢業(yè)并已取得博士學(xué)位(或已通過博士論文答辯且在2020年12月前畢業(yè)),身體健康,年齡一般不超過35周歲(含)。 |
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目標(biāo)探測與識別技術(shù) |
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新一代高靈敏智能化
核心探測器技術(shù) |
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量子增強(qiáng)功能材料器件與科學(xué)系統(tǒng)技術(shù) |
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紅外物理前沿與交叉應(yīng)用研究 |
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低溫制冷技術(shù)、熱工程新技術(shù)、探測器杜瓦封裝技術(shù)等 |
三、相關(guān)待遇:
1、薪酬:凡通過公開招聘,面試考核通過,體檢合格,進(jìn)入招錄流程,應(yīng)屆畢業(yè)生稅前年收入:博士畢業(yè)生,納入中國科學(xué)院特別研究助理錄用的,薪酬按相當(dāng)于研究所副高級專業(yè)技術(shù)人員標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行,第一年稅前收入約為20~50萬元人民幣/年,碩士畢業(yè)生第一年稅前收入約為15~20萬元人民幣/年(以上均含應(yīng)繳納個稅和社保及住房公積金、補(bǔ)充住房公積金,以及個人職業(yè)年金部分需從稅前工資扣除,單位繳納比例不從個人工資中扣除)。
全日制博士后依照考核情況,確定個人收入水平,平均年收入約為稅前12~40萬元人民幣左右;提供博士后流動公寓,或給予2000元/月租房補(bǔ)貼。
應(yīng)屆本科畢業(yè)生第一年稅前約7—10萬元人民幣/年。
具有相關(guān)經(jīng)驗的相關(guān)同行業(yè)專業(yè)技術(shù)人才,通過考核者并符合要求納入中科院事業(yè)單位編制者,薪酬和專業(yè)技術(shù)職務(wù)認(rèn)定另議。
2、福利:
1)住房:提供單身集體宿舍,并考慮各層次人才住房需求,提供高層次人才公寓和市、區(qū)兩級公租房、科嘉人才苑(青年人才公寓)等,同時提供相應(yīng)各種住房補(bǔ)貼;繳納公住房積金、補(bǔ)充公積金。
2)、健康及醫(yī)療:提供每年一次健康體檢、補(bǔ)充商業(yè)醫(yī)療保險(含子女醫(yī)療保險)、重疾險及定壽險;享受國家及上海市規(guī)定的各項保險。
3)、其他:享受集中休假、工會旅游及其他工會福利待遇等。
崗位:
1)、提供崗前脫產(chǎn)培訓(xùn)、導(dǎo)師制帶教、及崗位和專業(yè)相關(guān)的專業(yè)技術(shù)能力培訓(xùn)。
2)、提供設(shè)計師工作崗位與職務(wù)職級崗位并行的寬帶職業(yè)發(fā)展空間。
四、應(yīng)聘流程:
1、具體崗位和要求可登陸:http://www.sitp.ac.cn查詢。
2、簡歷投遞E-mail: hr@mail.sitp.ac.cn。郵件主題名:姓名+學(xué)校名+專業(yè)+學(xué)歷/學(xué)位+應(yīng)聘崗位,簡歷文件名:姓名+學(xué)歷+應(yīng)聘崗位。
3、部門面試和所級復(fù)試考核:分為個人報告和專家提問。個人報告環(huán)節(jié),請應(yīng)聘人員簡要介紹個人概況、學(xué)習(xí)經(jīng)歷,詳細(xì)介紹本人科研工作內(nèi)容。 面試時可攜帶如下材料: 1)、在公開發(fā)行的學(xué)術(shù)刊物或全國性學(xué)術(shù)會議上發(fā)表的學(xué)術(shù)論文、所獲專利或其它原創(chuàng)性工作成果證明; 2)、應(yīng)屆畢業(yè)生所在學(xué)校教務(wù)部門(或院系)出具并加蓋公章的課程成績單;3)、就學(xué)期間獲獎證書; 4)、其他有助申請崗位的相關(guān)材料。
4、面試形式不限,可通過電話、視頻面試等方式。請注意保持通訊暢通。
5、簽約:所級復(fù)試考核后將在兩周內(nèi)發(fā)布錄用通知,并安排體格檢查,應(yīng)屆生簽定就業(yè)協(xié)議書,有工作經(jīng)驗者根據(jù)相關(guān)要求攜帶材料到本所辦理報到手續(xù)。
五、聯(lián)系方式:
中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所人事處
地址:上海市虹口區(qū)玉田路500號。 E-MAIL:hr@mail.sitp.ac.cn