根據(jù)973計(jì)劃“高性能近紅外InGaAs探測材料基礎(chǔ)研究及其航天應(yīng)用驗(yàn)證”項(xiàng)目年度工作安排，2012年3月22日，“失配體系InGaAs材料缺陷密度與探測器暗電流關(guān)系”專題學(xué)術(shù)討論會在黃山順利召開。項(xiàng)目責(zé)任專家劉治國教授，顧問組專家匡定波院士、方家熊院士，首席科學(xué)家龔海梅研究員，課題負(fù)責(zé)人繆國慶研究員、張永剛研究員、韋欣研究員及學(xué)術(shù)骨干和研究生三十余人參加了會議。
龔首席與其他課題負(fù)責(zé)人分別主持了會議。龔首席首先代表項(xiàng)目組感謝各位專家、項(xiàng)目組成員及研究生參加此次研討會，并作了項(xiàng)目總體報(bào)告。報(bào)告中總結(jié)了項(xiàng)目實(shí)施啟動會上專家意見，細(xì)化了項(xiàng)目總體研究思路和具體方案，進(jìn)一步明確了項(xiàng)目前兩年的研究計(jì)劃和任務(wù)?；陧?xiàng)目的研究主線，介紹了國內(nèi)外在材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、生長方法、材料表征和器件驗(yàn)證等方面的研究進(jìn)展以及此次專題學(xué)術(shù)討論會的目的和報(bào)告內(nèi)容，并以生動的語言闡述了創(chuàng)新文化和工程文化的差異，最后表示希望通過此次會議激發(fā)項(xiàng)目組的創(chuàng)新靈感，促進(jìn)項(xiàng)目更好地實(shí)施。
繆國慶研究員、張永剛研究員和韋欣研究員分別作“低缺陷密度InGaAs多層材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與能帶分析”、“擴(kuò)展波長InGaAs探測材料問題與思考”和“InGaAs材料微納尺度物性表征”的報(bào)告，陳建新研究員、俞國林研究員、郭作興教授、李雪研究員和紀(jì)小麗副教授等12名學(xué)術(shù)骨干及研究生分別在新型近紅外材料研究進(jìn)展、載流子輸運(yùn)、透射電子顯微鏡表征和器件暗電流調(diào)研及初步研究方案等方面進(jìn)行了學(xué)術(shù)交流和匯報(bào)。
與會專家和學(xué)術(shù)骨干進(jìn)行了深入、細(xì)致的討論，一致認(rèn)為針對探測器暗電流密度低于1nA/cm2的項(xiàng)目目標(biāo)，需要弄清失配體系InGaAs材料缺陷產(chǎn)生機(jī)制、類型及演化機(jī)制，研究缺陷表征方法以獲得材料缺陷密度，并 關(guān)注材料缺陷密度和探測器暗電流的關(guān)聯(lián)性。
最后，龔首席作了總結(jié)發(fā)言。他再次感謝各位專家蒞臨指導(dǎo)，感謝各位課題負(fù)責(zé)人和學(xué)術(shù)骨干為會議報(bào)告所做的精心準(zhǔn)備，今后要繼續(xù)加強(qiáng)交流和溝通，深入開展材料與器件交叉研究，注重重大科學(xué)問題的探索，在失配體系InGaAs材料參數(shù)數(shù)據(jù)庫、缺陷密度的測量、表/界面態(tài)的測量及其與器件主要參數(shù)關(guān)聯(lián)性等方面建立研究計(jì)劃和實(shí)驗(yàn)方案，加快項(xiàng)目研究進(jìn)度，實(shí)現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)。
整整一天的專題學(xué)術(shù)交流會短暫而精彩，大家以項(xiàng)目研究主線為主題暢所欲言，討論熱烈，為項(xiàng)目的具體運(yùn)行提供了有價(jià)值的建議和具體的實(shí)施方案，實(shí)現(xiàn)了預(yù)期目的，達(dá)到了預(yù)期效果！ 
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